キオクシア：AI時代をリードするキオクシアのフラッシュストレージソリューションをFMS 2026で提案

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フラッシュメモリとSSDによる次世代AIインフラの実現に向けた最新技術を紹介

 

東京--(BUSINESS WIRE)-- （ビジネスワイヤ） -- キオクシア株式会社は、8月4日から8月6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: the Future of Memory and Storage」に出展します。AIアプリケーション向けにGPUによるダイレクトアクセスと最大1,000万IOPS注1の高速ランダムリードを実現するSuper High IOPS SSD「KIOXIA GP1シリーズ」を含む、フラッシュメモリおよびSSD技術がもたらす次世代AIインフラへの貢献について紹介します。次世代AIインフラに求められる性能、拡張性および電力効率の向上を実現する最新のイノベーションを基調講演、エグゼクティブパネルディスカッション、技術セッション、技術デモンストレーションを通じて提案します。

 

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AI時代をリードするキオクシアのフラッシュストレージソリューションをFMS 2026で提案

 

キオクシアは、先日発表したKIOXIA CM10シリーズPCIe® 6.0エンタープライズSSDおよびKIOXIA NX1シリーズSSDを展示します。両シリーズは直接液冷（DLC: Direct Liquid Cooling）方式に対応し、 AIや最新のデータセンター環境向けに設計されたKIOXIA CM10シリーズは、第10世代BiCS FLASH™フラッシュメモリを搭載した初のエンタープライズSSDであり、KIOXIA NX1シリーズは新世代のE1.Sフォームファクターを採用したPCIe® 5.0 NVMe™データセンターSSDです。

 

キオクシアは、FMS2026にて下記の基調講演やさまざまなセッションに登壇します。

キオクシアの主な展示と講演：

 

1. 基調講演

 

"Redefining Data Center Storage for the AI Era with Flash Memory and SSDs"

 

・日時：2026年8月4日（月）11:10（PDT：現地米国西海岸の太平洋夏時間）

・会場：Mission City Ballroom, Santa Clara Convention Center, First Floor

・講演者：松寺 克樹（キオクシア株式会社 メモリ事業部・メモリ応用技術統括部 技術統括部長）、ネビル・イチャポリア（キオクシアアメリカ社 SSDビジネス・ユニット部門 シニア・バイス・プレジデント兼ジェネラル・マネージャー）

 

2. NVIDIAスペシャルセッション

 

"Balancing Memory and Storage to Operate AI Factories and Agents at Scale"

 

・会場：Mission City Ballroom, Santa Clara Convention Center, First Floor

・日時：2026年8月6日（木）11:00（PDT）

・講演者：ローリー・ボルト（キオクシアアメリカ社 SSDビジネス・ユニット部 シニア・フェロー兼プリンシパル・アーキテクト）

 

3. パネルディスカッション"Storage in Accelerator-Centric Architectures"

 

・日時：2026年8月6日（水）9:45（PDT）

・会場：Ballroom G, Hyatt Regency Santa Clara, Lobby Floor

・講演者：イリヤ・チェルカソフ（キオクシアアメリカ社 エンタープライズSSD部門 プリンシパルエンジニア）

 

4. 当社ブースでの展示・デモ（ブース番号：#307）

 

・KIOXIA GP1シリーズ：GPU近接ワークロード向け1000万IOPSの512バイトランダムリード性能のSuper High IOPS SSD

・KIOXIA NX1シリーズ：AI向け液冷対応データセンターNVMe™ SSD

・KIOXIA CM10シリーズ：PCIe® 6.0対応エンタープライズNVMe™ SSD

・KIOXIA CM9シリーズ：エンタープライズNVMe™ SSDによるAI推論性能向上のためのコンテキストメモリキャッシング

・KIOXIA LC9シリーズ：245.76TB NVMe™ SSDによる大規模データセットの高速検索向け大容量QLCストレージ

・オープンソースソフトウェアKIOXIA AiSAQ™：AI推論向けベクトルデータベースの拡張性向上

・第10世代BiCS FLASH™：CMOS directly Bonded to Array (CBA)技術と横方向微細化技術の強化による332層構造

・XL-FLASH™搭載CXL™メモリモジュール：XL-FLASH™によるメモリ拡張ソリューション

・UFS 5.0：AI対応の高性能モバイルメモリソリューション

・低遅延QLCフラッシュメモリ：AIアプリケーション向け32ダイ積層の大容量BGAパッケージ

 

関連リンク：

 

FMS 2026の公式サイト
AIを支えるストレージソリューション

 

注1　読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。

 

・記憶容量：1 MB (1メガバイト) ＝1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) ＝1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) ＝1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、1 TB=1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。

・NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。

・PCIeはPCI-SIGの商標です。

・CXLはCompute Express Link Consortium, Inc.の商標です。

・UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。

・その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

 

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

 

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Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
キオクシア株式会社
プロモーションマネジメント部
進藤智士
Tel: 03-6478-2404

 

Source: Kioxia Corporation