新たな事業の開始及び Hangzhou MDK Opto Electronics Co., Ltd.（杭州美迪凱光電科技股份有限公司）との製造委託契約締結に関するお知らせ
2024/4/24 19:26 PR TIMES
当社は、次世代半導体パッケージ向けのTGV(Through Glass Via : ガラス貫通電極）・TSV（Through silicon via：シリコン貫通電極)・SiC（Silicon carbide：炭化ケイ素）関連製品の製造委託契約を、Hangzhou MDK Opto Electronics Co., Ltd（杭州美迪凱光電科技股份有限公司。以下「MDK社」という）と締結し、上記TGV・TSV・SiC関連製品の製造、販売を開始しましたのでお知らせいたします。
本契約により、当社は、日本及びアジア地域における営業ネットワークを活用して、上記TGV・TSV・SiC関連製品の新規顧客を開拓し、顧客仕様に基づき、MDK社が製造して当社を通じて顧客に販売します。
◆ TGV(Through Glass Via : ガラス貫通電極）は、従来の有機基板と比較して10倍の高集積化と高性能が見込めるパッケージング技術で、エレクトロニクス技術情報誌 「EE Times Japan」によると、耐熱性と耐衝撃性に優れるガラス基板の技術ロードマップが示されていますが、MDK社では2024年の現時点で、Via（穴径）10㎛、アスペクト比（板厚／穴径）20倍を達成しており、さらにVia（穴径）5㎛、アスペクト比（板厚／穴径）40倍も開発中です。
TGVガラス基板の用途は、インテル社の発表によると、生成系AIやGPU（Graphics Processing Unit-画像処理装置）、HPC（high-performance computing-高性能計算）など、特に高いパフォーマンスが求められる大型フォームファクタ（マザーボードやモバイルデバイスの基板など）のチップに搭載されることが想定されています。
◆ TSV（Through silicon via：シリコン貫通電極)は、従来のワイヤーによる半導体チップ間接続に代わり、シリコンウェーハー内部に上下貫通電極により接続する技術で、高速化/小型化/高密度化/低消費電力化が同時的に達成できます。
◆ SiC（Silicon carbide：炭化ケイ素）は、高耐熱性、耐摩耗性、耐食性を持ち、電気伝導性も優れており、EV（電気自動車）など様々なパワーエレクトロニクス分野で使用されています。
当社は、上記TGV・TSV・SiC関連製品のプロセスメーカーに対して、顧客仕様の製品モジュールを当社ブランドにてMDK社から製品供給を受けて提供いたします。また、TGVについて、当社のガラス基板切面加工技術、スパッタ成膜、基板両面研磨技術を活用した当社製品の既存供給先に、MDK社から製品供給を提案し、複合して販売することも計画しています。
https://prtimes.jp/a/?f=d141311-3-24cba75e032779c201e1fcfb3a877062.pdf
本件に関するお問い合わせ先
株式会社倉元製作所
生産事業統括本部 宮澤浩二 ko.miyazawa@kuramoto.co.jp
本社工場：〒989-5508 宮城県栗原市若柳武鎗字花水前１-１
電話 0228-32-5111（代） FAX 0228-32-6451
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本契約により、当社は、日本及びアジア地域における営業ネットワークを活用して、上記TGV・TSV・SiC関連製品の新規顧客を開拓し、顧客仕様に基づき、MDK社が製造して当社を通じて顧客に販売します。
◆ TGV(Through Glass Via : ガラス貫通電極）は、従来の有機基板と比較して10倍の高集積化と高性能が見込めるパッケージング技術で、エレクトロニクス技術情報誌 「EE Times Japan」によると、耐熱性と耐衝撃性に優れるガラス基板の技術ロードマップが示されていますが、MDK社では2024年の現時点で、Via（穴径）10㎛、アスペクト比（板厚／穴径）20倍を達成しており、さらにVia（穴径）5㎛、アスペクト比（板厚／穴径）40倍も開発中です。
TGVガラス基板の用途は、インテル社の発表によると、生成系AIやGPU（Graphics Processing Unit-画像処理装置）、HPC（high-performance computing-高性能計算）など、特に高いパフォーマンスが求められる大型フォームファクタ（マザーボードやモバイルデバイスの基板など）のチップに搭載されることが想定されています。
◆ TSV（Through silicon via：シリコン貫通電極)は、従来のワイヤーによる半導体チップ間接続に代わり、シリコンウェーハー内部に上下貫通電極により接続する技術で、高速化/小型化/高密度化/低消費電力化が同時的に達成できます。
◆ SiC（Silicon carbide：炭化ケイ素）は、高耐熱性、耐摩耗性、耐食性を持ち、電気伝導性も優れており、EV（電気自動車）など様々なパワーエレクトロニクス分野で使用されています。
当社は、上記TGV・TSV・SiC関連製品のプロセスメーカーに対して、顧客仕様の製品モジュールを当社ブランドにてMDK社から製品供給を受けて提供いたします。また、TGVについて、当社のガラス基板切面加工技術、スパッタ成膜、基板両面研磨技術を活用した当社製品の既存供給先に、MDK社から製品供給を提案し、複合して販売することも計画しています。
https://prtimes.jp/a/?f=d141311-3-24cba75e032779c201e1fcfb3a877062.pdf
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記事提供元：タビリス
